庫存狀況
「香港二樓書店」讓您 愛上二樓●愛上書
我的購物車 加入會員 會員中心 常見問題 首頁
「香港二樓書店」邁向第一華人書店
登入 客戶評價 whatsapp 常見問題 加入會員 會員專區 現貨書籍 現貨書籍 購物流程 運費計算 我的購物車 聯絡我們 返回首頁
香港二樓書店 > 今日好書推介
   
好吃(NO.5+6)套書(共二冊)
  • 定價99.00元
  • 8 折優惠:HK$79.2
  • 放入購物車
二樓書籍分類
 
半導體製程概論(第四版)?

半導體製程概論(第四版)?

沒有庫存
訂購需時10-14天
9789865035228
李克駿,李克慧,李明逵
全華圖書
2020年12月01日
140.00  元
HK$ 126
省下 $14
 
二樓書卷使用細則 二樓書卷使用細則





ISBN:9789865035228
  • 叢書系列:大專電子
  • 規格:平裝 / 360頁 / 19 x 26 x 1.8 cm / 普通級 / 單色印刷 / 四版
  • 出版地:台灣
    大專電子


  • 專業/教科書/政府出版品 > 電機資訊類 > 電子











      全書分為五篇,第一篇(1∼3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4∼9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10∼24章)說明積體電路的製程。第四篇(25∼26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27∼28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。



    本書特色



      1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。

      2.從矽導體之物理概念開始,一直到半導體結構、能帶作完整的解說,使讀者學習到全盤知識。

      3.圖片清晰,使讀者一目瞭然更容易理解。

      4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。


     





    前言 半導體與積體電路之發展史

    0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History)

    0-2 電晶體 (Transistor)

    0-3 積體電路 (Integrated Circuit)

    0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)



    第一篇 半導體材料與物理



    第1章 晶體結構與矽半導體物理特性

    1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic)

    1-2 晶體結構 (Crystal Structure)

    1-3 物質導電性 (Material Conductivity)

    1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)

    1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)

    習題

    第2章 半導體能帶與載子傳輸

    2-1 能帶 (Energy Band)

    2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance)

    2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)

    習題

    第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性

    3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)

    3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)

    3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)

    3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)

    3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)

    3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)

    習題



    第二篇 半導體元件



    第4章 半導體基礎元件

    4-1 二極體 (Diode)

    4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)

    4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

    4-4 互補金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

    4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)

    4-5-1 半導體揮發性記憶體 (Semiconductor Volatile Memory)

    4-5-2 半導體非揮發性記憶體 (Semiconductor Nonvolatile Memory)

    4-6 電阻 (Resistor)

    4-7 電容 (Capacitor)

    4-8 電感 (Inductor)

    習題

    第5章 接面能帶圖與費米能階

    5-1 半導體狀態密度 (Density of States)

    5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)

    5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)

    5-4 接面能帶圖與費米能階 (Junction Band Diagram and Fermi Level)

    習題

    第6章 積體電路製程與佈局

    6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)

    6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)

    6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)

    6-4 設計原則 (Design Rules)

    6-5 佈局 (Layout)

    第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件

    7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)

    7-2 短通道效應 (short-channel effects)

    7-2-1 速度飽和效應 (velocity saturation)

    7-2-2 通道長度調變效應 (channel-length modulation)

    7-2-3 次臨界電流效應 (subthreshold current)

    7-2-4 擊穿效應 (punch through)

    7-2-5 CMOS栓啟效應 (latch-up)

    7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)

    7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)

    7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)

    習題

    第8章 高速與高功率電晶體

    8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)

    8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)

    8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor)

    8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    習題

    第9章 半導體光電元件

    9-1 發光二極體 (light emitting diode)

    9-2 雷射二極體 (Laser Diode)

    9-3 光感測器 (Photodetector)

    9-3-1 p-n光電二極體 (p-n Photodiode)

    9-3-2 p-i-n光電二極體 (p-i-n Photodiode)

    9-3-3 光電電晶體 (Phototransistor)

    9-4 太陽電池(Solar Cell)

    9-4-1 PERL太陽電池 (PERL Solar Cell)

    9-4-2 串級太陽電池 (Tandem Solar Cell)

    9-4-3 非晶太陽電池 (Amorphous Solar Cell)

    9-4-4 聚光 (Optical Concentration)

    習題



    第三篇 積體電路製程與設備



    第10章 矽晶棒之生長

    10-1 原料配製 (Starting Materials)

    10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)

    10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)

    10-4 晶體缺陷(Crystal Defects)

    習題

    第11章 矽晶圓之製作

    11-1 晶體方向(Crystal Orientation)

    11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)

    11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer)

    習題

    第12章 化合物半導體晶棒生長

    12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth)

    12-2 生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)

    12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)

    12-3-1 高溫物理氣相沉積法 (HTPVD)

    12-3-2 高溫化學氣相沉積法 (HTCVD)

    習題

    第13章 矽磊晶生長

    13-1 磊晶膜(Epitaxial Layer)

    13-2 矽磊晶生長(Silicon Epiatxy)

    13-3 矽磊晶膜生長程序(Growth Process of Si Epitaxial Layer)

    習題

    第14章 矽磊晶系統

    14-1 矽磊晶系統(Epitaxy Systems)

    14-2 矽磊晶生長系統之評估(Evaluation of Epitaxial Systems)

    習題

    第15章 化合物半導體磊晶成長

    15-1 砷化鎵磊晶成長(GaAs Epitaxy)

    15-1-1 砷化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE)

    15-1-2 砷化鎵有機金屬化學氣相磊晶

    15-2 氮化鎵磊晶生長(GaN Epitaxy)

    15-2-1 氮化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE)

    15-2-2 氮化鎵有機金屬化學氣相磊晶

    15-3 碳化矽磊晶生長(SiC Epitaxy)

    習題

    第16章 矽氧化膜生長

    16-1 熱氧化爐(Thermal Oxidation Furnace)

    16-2 矽氧化程序(Oxidation Process)

    16-3 乾濕氧化與膜厚(Dry and Wet Oxidation and Thickness)

    16-4 矽氧化膜厚度評估(Oxide Evaluation)

    16-5 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 (Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation)

    習題

    第17章 矽氧化膜生長機制

    17-1 二氧化矽與氧化(Silicon Dioxide and Oxidation)

    17-2 氧化機制(Oxidation Mechanism)

    17-3 超薄氧化層(Ultra-Thin Oxide)

    17-4 氧化膜品質評估(Oxide Quality Evaluation)

    17-5 氧化膜品質改進方法(Improvement of Oxide Quality)

    習題

    第18章 摻雜質之擴散植入

    18-1 擴散概念 (Concept of Diffusion)

    18-2 擴散過程 (Diffusion Process)

    18-3 擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion)

    習題

    第19章 摻雜質之離子佈植

    19-1 離子佈植 (Ion Implantation)

    19-2 退火 (Annealing)

    19-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用(Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)

    19-3-1 調整電晶體臨界電壓 (Adjustment of Transistor Threshold

    Voltage)

    19-3-2 形成N及P型井區 (Formation of N and P Wells)

    19-3-3 電晶體的隔離 (Isolation)

    19-3-4 形成電晶體的源極與汲極 (Formation of Source and Drain)

    19-3-5 形成低摻雜濃度的汲極 (Lightly-Doped Drain Formation)

    19-3-6 摻雜複晶矽 (Poly-silicon Doping)

    19-3-7 SOI晶圓生長備製 (Preparation of SOI Wafer)

    19-4 離子佈植製程實務 (Practices of Ion Implantation)

    19-4-1 晶圓冷卻 (Wafer Cooling)

    19-4-2 光阻問題 (Resist Problems)

    19-4-3 電荷中和 (Charge Neutralization)

    19-4-4 微塵與污染 (Dust and Contamination)

    習題

    第20章 微影技術

    20-1 微影蝕刻術 (Lithography)

    20-2 光罩之製作 (Fabrication of Mask)

    20-3 光微影術 (photolithography)

    20-4 光解析增強微影術 (Resolution Enhancement Techniques)

    20-5 微影術之光源 (Photolithographic sources)

    20-5-1 電子束微影曝光系統 (Electron Beam Lithography)

    20-5-2 極深紫外光微影曝光系統 (Extreme Ultraviolet Lithography)

    習題

    第21章 蝕刻技術

    21-1 濕蝕刻 (Wet Etching)

    21-1-1 矽濕蝕刻 (Si Wet Etching)

    21-1-2 化合物半導體濕蝕刻 (Compound Semiconductor Wet Etching)

    21-2 乾蝕刻 (Dry Etching)

    21-2-1 電容耦合式電漿蝕刻機 (Capacitively Coupled Plasma etcher)

    21-2-2 活化離子蝕刻機 (RIE-Reactive Ion Etcher)

    21-2-3 邊牆機制輔助非等向性蝕刻 (Anisotropic Etching Assisted by Sidewall Mechanism)

    21-2-4 電感耦合式電漿蝕刻機 (Inductively Coupled Plasma Etcher-ICP)

    21-2-5 遠端電漿蝕刻機 (Remote Plasma Etcher)

    21-2-6 化合物半導體乾蝕刻 (Compound Semiconductor Dry Etching)

    21-2-7 原子層蝕刻技術 (Atomic Layer Etching)

    21-2-8 聚焦離子束 (Focused Ion Beam, FIB)

    21-2-9 化學機械拋光 (Chemical-mechanical polishing, CMP)

    習題

    第22章 化學氣相沉積

    22-1 化學氣相沉積概念 (Introduction of CVD)

    22-2 化學氣相沉積流程 (CVD Procedures)

    22-3 低壓化學氣相沉積 (Low Pressure CVD - LPCVD)

    22-4 電漿化學氣相沉積 (Plasma CVD - PCVD)

    22-5 光照化學氣相沉積 (Photo-CVD)

    22-6 原子層沉積 (Atomic Layer Deposition)

    22-7 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition)

    習題

    第23章 金屬接觸與沉積

    23-1 金屬化之要求 (Metallization Requirements)

    23-2 真空沉積 (Vacuum Deposition)

    23-3 沉積技術 (Deposition Techniques)

    23-4 真空沉積程序 (Vacuum Deposition Procedure)

    23-5 合金/退火 (Alloy/Annealing)

    23-6 金屬矽化物 (Silicide)

    23-6-1 摻雜多晶矽 (Doped Polysilicon)

    23-6-2 金屬矽化物與多晶矽化物 (Silicide and Polycide)

    23-7 銅製程技術 (Copper Processes)

    習題

    第24章 積體電路封裝

    24-1 積體電路封裝 (IC Package)

    24-1-1 積體電路中半導體元件失效的主因 (IC Failure Analysis)

    24-1-2 封裝的功能 (Function of Packaging)

    24-1-3 積體電路封裝材料的要求 (Material Requirements)

    24-2 封裝分類 (Classification)

    24-3 封裝流程 (Packaging Flow Chart)

    24-3-1 背面研磨 (Back-Side Grinding)

    24-3-2 晶片揀選 (Chip Sorting)

    24-3-3 晶圓切割 ( Sawing)

    24-3-4 銲晶 (Die Attaching)

    24-3-5 銲線 (Wire Bonding)

    24-3-6 封膠 (Molding)

    24-3-7 電鍍 (Solder Plating)

    24-3-8 彎腳成形 (Forming)

    24-3-9 最後測試 (Final Testing)

    24-3-10 打包 (Packing)

    24-4 三維封裝 (3 Dimensional Package)

    習題



    第四篇 積體電路故障與檢測



    第25章 可靠度與功能性檢測

    25-1 可靠度基本概念 (Basic Idea of Reliability)

    25-2 可靠度檢測 (Reliability Testing)

    25-3 故障模型 (Failure Models)

    25-3-1 故障平均壽命 (Mean-time-to-failure,MTTF)

    25-3-2 平均故障間隔時間 (Mean-Time-Between-Failure, MTBF)

    25-4 電磁干擾 (EMI)

    25-5 靜電效應 (ESD)

    25-6 功能性檢測 (Function Testing)

    25-6-1 可檢測設計 (Design for Testability)

    25-6-2 內建式自我檢測 (Built-in Self-Test, BIST)

    25-6-3 可修護 (Repairable)

    習題

    第26章 材料特性檢測

    26-1 表面形態分析儀器 (Surface Morphology Analysis Instruments)

    26-1-1 光學顯微鏡 (Optical Microscope-OM)

    26-1-2 掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscopy- SEM)

    26-1-3 原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscopy-AFM)

    26-2 晶體結構分析儀器 (Crystal Structure Analysis Instruments)

    26-2-1 X光繞射光譜 (X-ray Diffraction Spectrum)

    26-2-2 穿透式電子顯微鏡 (Tunneling Electron Microscopy-TEM)

    26-3 組成分析儀器 (Composition Analysis Instruments)

    26-3-1 二次離子質譜儀 (Secondary Ion Mass Spectrometer-SIMS)

    26-3-2 傅立葉轉換紅外光頻譜儀 (Fourier Transform Infrared spectroscopy: FTIR)

    26-3-3 歐傑電子光譜儀 (Auger Electron Spectroscopy-AES)

    26-3-4 X射線光電子能譜儀 (X-Ray Photoelectron Spectroscopy-XPS)或化學分析電子光譜 (Electron Spectrometry for Chemical Analysis-ESCA)

    26-3-5 拉曼光譜儀 (Raman Spectroscopy)

    26-3-6 光激光譜儀 (Photoluminescence Spectroscopy-PL)

    習題



    第五篇 製程潔淨控制與安全



    第27章 製程潔淨控制與安全(一)

    27-1 潔淨程序 (Cleaning Procedures)

    27-2 水 (Water)

    27-3 空氣/無塵室 (Air/Clean Room)

    27-4 人員 (Personnel)

    27-5 化學藥品 (Chemicals)

    27-6 氣體 (Gases)

    習題

    第28章 製程潔淨控制與安全(二)

    28-1 高壓氣瓶 (High Pressure Cylinder)

    28-1-1 高壓氣瓶之使用 (Usage of High Pressure Cylinder)

    28-1-2 高壓氣瓶的貯存 (Storage of High Pressure Cylinder)

    28-2 壓力調節器 (Pressure Regulator)

    28-3 吹淨 (Blow Up)

    28-4 洩漏偵測 (Leak Check)

    28-5 設備上應注意事項 (Equipment Check)

    28-6 廢氣之排放 (Exhaust)

    28-6-1 氣體排放 (Gases Exhaust)

    28-6-2 排放氣體的除害處理 (Toxic Gases Treatment)

    28-7 緊急時應注意事項 (Emergency)

    28-7-1 洩漏氣體時的緊急處置 (Emergency Treatment of Gases Leak)

    28-7-2 發生火警時的緊急處置 (Emergency Treatment of Fire Alarm)

    28-7-3 中毒時的緊急處置 (Emergency Treatment of Poisoning)

    28-7-4 預防 (Precaution)

    習題

    ?




    其 他 著 作