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半導體元件物理與製作技術
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9789573015130
施敏
國立交通大學
2006年9月01日
253.00 元
HK$ 227.7
詳
細
資
料
* 規格:平裝 / 23*16.9cm / 普級 / 單色印刷 / 初版
* 出版地:台灣
分
類
專業/教科書/政府出版品
>
政府出版品
>
科技發展
>
工業技術
同
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書
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內
容
簡
介
@本書介紹現代半導體元件的物理原理和其先進的製造技術,它可以作為應用物理、電機電子工程和材料科學領域的研讀教材,也可以作為工程師和科學家們需要知道最新元件和技術發展時的參考。
本書是施敏教授所著,由美國Wiley公司於2002年出版之Semiconductor Devices Physics and Technology第二版之中譯本。
作者施敏曾服務於美國貝爾實驗室,在金半接面、微波元件及次微米金氧半場效電晶體技術等領域都有開創性的貢獻。其中最重要的就是他發明了浮停閘非揮發性記憶體(包括了EEPROM及快閃記憶體元件)。這種記憶體元件現在己成為行動電話、筆記型電腦、智慧型IC卡、數位相機和許多攜帶式電子產品的關鍵零件。
施教授發表過上百篇的科技論文,也寫著及主編十二本書。其中所著「半導體元件物理學」原文版在工程和應用科學論文及書籍中為最常被引用的文獻(到2002年為止,這本書已被引用超過一萬三千次),也是世界各大學相關系所的半導體課程的首選教材,並被譯成六國文字,被譽為電子科技界的聖經。
作者簡介
施敏
施院士為台大電機工程學士、美國史丹佛大學博士,現任交通大學教授。他對現代微電子科技( Microelectronics)的發展有重大貢獻,是半導體元件物理及製程技術的權威。他在經濟部電子工業小組委員任內,協助成立工研院電子所,對開拓我國電子工業有前瞻性的建樹。
中 文:施 敏
英 文:Simon M. Sze
當選院士屆數 第20 屆
學歷:
國立台灣大學電機系學士(1957 )
美國華盛頓大學電機系碩士( 1960)
美國史坦福大學電機系博士(1963)
經歷
美國貝爾實驗室研究(1963-1989 )
國立交通大學電子工程系教授( 1990 - )
國立交通大學電子與資訊研究中心主任( 1990-1996 )
國科會國家毫微米元件實驗室主任(1998 - )
專長 半導體元件物理、積體電路製程技術
曾獲得之學術榮譽
中山學術獎(1969 )
IEEE J. J. Ebers獎( 1993)
中央研究院院士(1994)
美國國家工程院院士(1995 )
行政院傑出科技榮譽獎( 1997)
教育部國家講座(1998-2001)
中華民國斐陶斐傑出成就獎(1998 )
教育部國家講座( 2001-2003)
現職 國立交通大學「聯華電子講座」教授兼「國家奈米元件實驗室」主任
目
錄
半導體元件
1.2 半導體製作技術
總結
第一部份 半導體物理
第二章 熱平衡時的能帶其載子濃度
2.1 半導體材料
2.2 基本晶體結構
2.3 基本晶體成長技術
2.4 共價鍵
2.5 能帶
2.6 本質載子濃度
2.7 施體與受體
總結
第三章 載子傳輸現象
3.1 載子漂移
3.2 載子擴散
3.3 產生與復合過程
3.4 連續方程式
3.5 熱離子發射過程
3.6 穿遂過程
3.7 高電場效應
總結
第二部分 半導體元件
第四章 正一負接面
4.1 基本製程步驟
4.2 熱平衡狀態
4.3 空乏區
4.4 空乏層電容
4.5 電流-電壓特性
4.6 儲存電荷和暫態響應
4.7 接面崩潰
4.8 異質接面
總結
第五章 雙載子電晶體及其相關元件
5.1 電晶體之動作
5.2 雙載子電晶體之靜態特性
5.3 雙載子電晶體之頻率響應與切換
5.4 異質接面雙載子電晶體
5.5 閘流體及其相關功率元件
總結
第六章 金氧半場效電晶體及相關元件
6.1 金氧半二極體
6.2 金氧半場效電晶體基本原理
6.3 金氧半場效電晶體微縮
6.4 互補式金氧半與雙載子金氧半
6.5 絕緣層上金氧半場效電晶體
6.6 金氧半記憶體結構
6.7 功率金氧半場效電晶體
總結
第七章 金半場效電晶體及其相關元件
7.1 金屬-半導體接觸
7.2 金半場效電晶體
7.3 調變摻雜場效電晶體
總結
第八章 微波二極體,量子效應和熱電子元件
8.1 基本微波技術
8.2 穿遂二極體
8.3 衝渡二極體
8.4 轉移電子元件
8.5 量子效應元件
8.6 熱電子元件
總結
第九章 光電元件
9.1 輻射轉換與光的吸收
9.2 發光二極體
9.3 半導體雷射
9.4 光檢測器
9.5 太陽電池
總結
第三部分 半導體製作技術
第十章 晶體成長和磊晶
10.1 從熔融液之矽晶成長
10.2 矽的浮帶製程
10.3 砷化鎵的成長技術
10.4 材料特性
10.5 磊晶的成長技術
10.6 磊晶層的結構和缺陷
總結
第十一章 薄膜形成
11.1 熱氧化
11.2 介電層沉積
11.3 複晶矽沉積
11.4 金屬鍍膜
總結
第十二章 微影與蝕刻
12.1 光學微影術
12.2 下世代微影技術
12.3 濕式化學蝕刻
12.4 乾式蝕刻
12.5 微機電系統
總結
第十三章 雜質摻雜
13.1 基本擴散製程
13.2 非本徵擴散
13.3 擴散相關製程
13.4 佈植離子的範圍
13.5 佈植損壞與回火
13.6 佈植相關製程
總結
第十四章 積體元件
14.1 被動元件
14.2 雙載子電晶體技術
14.3 金氧半場效電晶體技術
14.4 金半場效電晶體技術
14.5 微電子元件之挑戰
總結
附 錄
A. 符號表
B. 國際單位系統
C. 單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 300 K 時主要元素和二元化合物半導體的特性
G. 300 K 時矽和砷化鎵的主要特性
H. 半導體態位密度之推導
I. 非直接復合之復合率推導
J. 對稱共振穿遂二極體之穿透係數運算
K. 基本氣體動力學
L. 奇數題的問題解答
書
評
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