庫存狀況
「香港二樓書店」讓您 愛上二樓●愛上書
我的購物車 加入會員 會員中心 常見問題 首頁
「香港二樓書店」邁向第一華人書店
登入 客戶評價 常見問題 加入會員 會員專區 現貨書籍 現貨書籍 購物流程 運費計算 我的購物車 聯絡我們 返回首頁
香港二樓書店 > 今日好書推介
   
成為賈伯斯:天才巨星的挫敗與孕成
  • 定價217.00元
  • 8 折優惠:HK$173.6
  • 放入購物車
二樓書籍分類
 
薄膜科技與應用(第五版)

薄膜科技與應用(第五版)

沒有庫存
訂購需時10-14天
9789864635306
羅吉宗
全華圖書
2017年12月27日
160.00  元
HK$ 152
省下 $8
 
二樓書卷使用細則 二樓書卷使用細則





ISBN:9789864635306
  • 叢書系列:大專電子
  • 規格:平裝 / 448頁 / 20k
    大專電子


  • 專業/教科書/政府出版品 > 電機資訊類 > 電子











      薄膜技術的進展和表面界面物理導入,使電子元件實現了輕薄短小,且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書,但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制,製作高品質薄膜的要件,薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制;第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響;第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用,也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。



    本書特色



      1.薄膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術,使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。



      2.薄膜技術涉及多門學科領域,本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。



      3.本書內容共為八章,前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制,第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響,第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。



      4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用,也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。?


     





    第1章 真空技術與氣體傳輸安全

    1-1 氣 壓

    1-2 氣體動力學

    1-3 真空系統

    1-3.1 氣導(conductance)

    1-3.2 抽氣速率

    1-4 真空泵浦

    1-4.1 迴轉式機械泵浦(rotary mechanical pump)與乾式泵浦(dry pump)

    1-4.2 擴散泵浦(diffusion pump)

    1-4.3 渦輪式分子泵浦(turbo molecular pump)

    1-4.4 低溫泵浦(cryogenic pump)

    1-5 真空氣壓計(vacuum pressure gauge)

    1-5.1 Pirani真空計

    1-5.2 熱電偶真空計(thermocouple gauge)

    1-5.3 Baratron電容式真空計

    1-5.4 離子式真空計

    1-5.5 Penning冷陰極真空計

    1-5.6 剩餘氣體分析儀(residual gas analyzer)

    1-6 漏氣測定

    1-7 氣體傳輸系統

    1-7.1 閥門(valve)

    1-7.2 真空導引(feed through)

    1-7.3 管件的連接

    1-8 危險氣體的處理

    1-9 流量的量測與控制

    習題

    參考資料



    第2章 電漿(plasma)物理

    2-1 電漿中的氣相碰撞

    2-2 各種電漿粒子與表面之作用

    2-2.1 濺 射

    2-2.2 二次電子

    2-2.3 在基板表面沉積薄膜或蝕刻

    2-3 直流輝光放電(D.C glow discharge)

    2-3.1 直流輝光放電特性

    2-3.2 陰極暗區

    2-3.3 電漿輝光放電區

    2-3.4 陽極暗區

    2-4 射頻輝光放電(radio frequency glow discharge)

    2-4.1 RF電漿的直流自我偏壓

    2-4.2 RF系統的電壓分布

    2-4.3 調頻器(matching box or tunner)

    2-5 磁控管(magnetron)輝光放電

    2-5.1 帶電粒子在磁場方向螺旋前進

    2-5.2 帶電粒子受電力和磁力作用

    2-6 高密度電漿(high density plasma)

    習題

    參考資料



    第3章 表面動力學與薄膜生長機制

    3-1 物理吸附(physisorption)

    3-2 化學吸附(chemisorption)

    3-3 吸附原子在基板表面產生表面張力

    3-4 結合能與表面張力

    3-5 吸附量與溫度、氣壓之關係

    3-6 摻質原子在晶體中的擴散

    3-7 表面擴散與薄膜間的互擴散

    3-8 孕核(nucleation)

    3-9 原子團的生長與聚合

    3-10 薄膜的結構與缺陷

    習題

    參考資料



    第4章 薄膜製作技術

    4-1 熱氧化(thermal oxidation)

    4-2 物理汽相沉積(PVD)

    4-2.1 蒸鍍(evaporation)

    4-2.2 脈衝雷射沉積(PLD)

    4-2.3 濺射沈積或乾蝕刻(Sputtering Deposition or Dry Etching)

    4-2.4 離子束沉積或蝕刻(Ion beam deposition or Ion mill)

    4-3 化學汽相沉積(CVD)

    4-3.1 反應腔中氣體傳送原理

    4-3.2 CVD動力學

    4-3.3 CVD反應系統

    4-4 導電薄膜和介電薄膜製作

    4-5 磊晶技術(epitaxial technology)

    4-5.1 鹵化物系VPE同質磊晶

    4-5.2 Ⅲ一Ⅴ族半導體異質磊晶

    4-6 微影製版術(lithography technology)

    4-6.1 光阻材料

    4-6.2 紫外線曝光技術

    4-6.3 圖案對準技術

    4-7 蝕刻技術(Etching technology)

    4-7.1 濕式蝕刻

    4-7.2 乾蝕刻

    習題

    參考資料



    第5章 磊晶生長與光學薄膜

    5-1 同質磊晶生長模式

    5-2 異質磊晶的能隙與晶格常數

    5-3 晶格失配的結構

    5-4 異質磊晶層中的應變能

    5-5 異質磊晶的差排能

    5-6 超晶格應變層與插入差排

    5-7 光學薄膜

    5-8 光在薄膜界面的反射與穿透

    5-9 多層抗反射薄膜

    5-10 超晶格高反射薄膜

    習題

    參考資料



    第6章 異質結構薄膜精進元件電性

    6-1 異質結構薄膜

    6-2 光電檢測器(photo detector)

    6-3 太陽能電池(solar cell)

    6-4 發光二極體(Light Emitting Diode LED)

    6-5 半導體雷射二極體(Laser Diode LD)

    6-6 異質雙載子接面電晶體

    (Heterojunction Bipolor Transistor HBT)

    6-7 高電子遷移率電晶體(pseudomorphic High Electron?

    Mobility Transistor pHEMT)

    習題

    參考資料



    第7章 散射與薄膜結構或成分分析

    7-1 X-射線繞射與三維倒晶個格

    7-2 電漿振盪子(plasmons)與電磁耦合量子(polaritons)

    7-2.1 離子晶體的聲子

    7-2.2 電漿振盪子

    7-3 二維結晶學

    7-3.1 基板晶格表面

    7-3.2 表面結構的Wood符號與疊層覆蓋率

    7-3.3 薄膜與基板的繞射圖案關係

    7-4 電子繞射(LEED & RHEED)

    7-5 拉塞福(Rutherford)反向散射光譜儀(RBS)

    7-6 二次離子質譜儀 (SIMS)

    習題

    參考資料



    第8章 薄膜特性檢測技術與原理

    8-1 光學特性分析技術

    8-1.1 光學顯微鏡

    8-1.2 橢圓儀(ellipsometer)

    8-1.3 紅外光譜儀(FTIR)

    8-1.4 拉曼(Raman)光譜分析

    8-1.5 激發光光譜分析

    8-1.6 感應耦合電漿原子發射光譜(ICPOES)

    8-2 電子束分析技術

    8-2.1 掃描式電子顯微鏡 (SEM)

    8-2.2 穿透式電子顯微鏡 (TEM)

    8-2.3 歐傑電子光譜儀 (AES)

    8-3 掃描探針顯微技術(Scanning Probe Microscopy)

    8-3.1 掃描式穿隧顯微鏡 (STM)

    8-3.2 原子力顯微鏡(AFM)

    8-3.3 近場光學顯微鏡

    8-4 X-射線分析技術

    8-4.1 X射線特性

    8-4.2 X光繞射儀

    8-4.3 光電子光譜儀 (photoemission spectroscopy)

    8-4.4 X射線螢光分析

    8-5 薄膜應力量測

    8-6 金屬薄膜的片電阻

    8-7 絕緣薄膜的介電強度與崩潰電荷密度

    習題

    參考資料



    附錄

    附錄A 部分習題解答

    附錄B 元素週期表

    附錄C 室溫下一些半導體之物性

    附錄D Si、Ge、GaAs和SiO的性質(300°K)

    附錄E 用於電子材料的某些元素的物理性質

    附錄F 物理常數及其換算




    其 他 著 作
    1. 奈米科技導論(第三版)
    2. 新世代照明光源與顯示器:場發射技術
    3. 薄膜科技與應用(第四版)
    4. 奈米科技導論(修訂版)