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矽晶圓半導體材料技術(精裝本)(第五版)

矽晶圓半導體材料技術(精裝本)(第五版)

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9789865032425
林明獻?
全華圖書
2019年10月15日
217.00  元
HK$ 195.3
省下 $21.7
 
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ISBN:9789865032425
  • 叢書系列:實用電子
  • 規格:軟精裝 / 584頁 / 19 x 26 x 2.92 cm / 普通級 / 單色印刷 / 五版
  • 出版地:台灣
    實用電子


  • [ 尚未分類 ]











      由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎,因此從事半導體領域之學術研究與工程人員,都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。



      因此本書內容上採深入淺出的方式敘述,除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外,尚包含了以下單元:矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。



      作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。



    本書特色



      1.本書為國內第一本介紹矽晶圓材料的專業參考書籍。

      2.本書詳細介紹矽晶的基本性質,矽晶圓材料的製造流程、矽晶圓缺陷控制以及矽晶圓性質檢測等單元,是一本從事半導體領域之學術研究與工程人員必備的專業書籍。

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    1緒論



    2矽晶的性質

    第1節 結晶性質

    第2節 半導體物理與矽晶的電性

    第3節 矽的光學性質

    第4節 矽的熱性質

    第5節 矽的機械性質



    3多晶矽原料的生產技術

    第1節 塊狀多晶矽製造技術-Simens方法

    第2節 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法

    第3節 粒狀多晶矽製造技術



    4單晶生長

    前言

    第1節 單晶生長理論

    第2節 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)

    第3節 MCZ矽單晶生長法

    第4節 CCZ矽單晶生長法

    第5節 FZ矽單晶生長法

    第6節 矽磊晶生長技術



    5矽晶圓缺陷

    第1節 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷

    第2節 氧析出物(Oxygen Precipitation)

    第3節 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)



    6矽晶圓之加工成型

    第1節 切斷(Cropping)

    第2節 外徑磨削 (Grinding)

    第3節 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding)

    第4節 切片(Slicing)

    第5節 圓邊(Edge Profiling)

    第6節 研磨(Lapping)

    第7節 蝕刻(Etching)

    第8節 拋光(Polishing)

    第9節 清洗(Cleaning)

    第10節 雷射印碼(Laser Marking)

    第11節 矽晶圓的背面處理



    7矽晶圓性質之檢驗

    第1節 PN判定

    第2節 電阻量測

    第3節 結晶軸方向檢定

    第4節 氧濃度的測定

    第5節 Lifetime量測技術

    第6節 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術

    第7節 晶圓表面微粒之量測

    第8節 金屬雜質之量測

    第9節 平坦度之量測

    附錄A 晶格幾何學

    附錄B 基本常數

    附錄C 矽的基本性質

    附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋

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    其 他 著 作
    1. 太陽電池技術入門(第五版)?