第1章 半導體簡介與晶體性質

1-1 半導體架構分類

1-2 半導體理論架構

1-3 半導體晶體晶格

1-4 Miller指標

1-5 固體之缺陷與雜質

1-6 解鑽石結構

歷屆試題



第2章 固態量子理論導讀

2-1 量子力學概念

2-2 Schrodinger波動方程式

2-3 Schrodinger波動方程式應用

2-4 Schrodinger波動方程式與原子模型

2-5 能帶的形成

2-6 狀態密度函數(Density of states)

歷屆試題



第3章 平衡半導體

3-1 熱平衡時電子和電洞濃度

3-2 本質半導體的形成

3-3 雜質半導體的形成

3-4 載子濃度與溫度的關係

歷屆試題



第４章 載子傳輸現象

4-1 漂移電流原理

4-2 漂移率(mobility)

4-3 高電場效應

4-4 擴散電流原理

4-5 霍爾效應(Hall Effect)

歷屆試題



第5章 半導體的不平衡過量載子

5-1 漂移電流原理

5-2 雙極性傳輸方程式

5-3 過量載子生命週期

5-4 準費米能階

5-5 Haynes-shockly實驗

歷屆試題



第6章 PN接面

6-1 PN接面結構與熱平衡

6-2 順向偏壓與逆向偏壓

6-3 不均勻參雜PN接面

6-4 接面電壓與電流定性分析

6-5 小訊號模型與暫態響應

6-6 PN接面崩潰

6-7 穿隧二極體

6-8 異質二極體(Heterogeneous diode)

歷屆試題



第7章 BJT之基本結構與操作模式

7-1 BJT的結構與操作原理

7-2 少數載子分佈與能階圖

7-3 順向主動區之數學分析

7-4 BJT等效電路模型

7-5 BJT頻率響應與暫態分析

7-6 BJT非理想效應

7-7 異質接面雙極性電晶體

歷屆試題



第8章 金氧半場效應電晶體(MOSFET)

8-1 理想MOS電容器

8-2 考慮功函數差

8-3 MOS電容與電壓特性

8-4 MOS電晶體等效電路與頻率特性

8-5 MOSFET之非理想效應

8-6 CMOS技術

8-7 Latch up現象分析

歷屆試題



第9章 金半接半與接面半導體

9-1 金屬－半導體接面

9-2 歐姆接觸

9-3 接面場效應電晶體

歷屆試題



第10章 光電元件

10-1 太陽能電池

10-2 光檢測器

10-3 發光二極體

10-4 雷射二極體

歷屆試題



第11章 半導體製程技術

11-1 晶體成長

11-2 矽氧化

11-3 微影(Lithography)

11-4 蝕刻

11-5 擴散

11-6 薄膜沉積

11-7 製程整合

歷屆試題



附錄

附錄一 半導體公式

附錄二 常用符號之定義

附錄三 物理常數及常用因數

附錄四 半導體材料之性質



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