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半導體元件物理學第四版(下冊)

半導體元件物理學第四版(下冊)

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9789865470562
施敏,李義明,伍國?
顧鴻壽,陳密
國立陽明交通大學出版社
2022年12月30日
240.00  元
HK$ 216  






ISBN:9789865470562
  • 規格:平裝 / 592頁 / 17 x 23 x 2.96 cm / 普通級 / 單色印刷 / 初版
  • 出版地:台灣


  • 專業/教科書/政府出版品 > 政府出版品 > 教育學習 > 大學出版中心











    最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍



      《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。



      Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。



      全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章)



      ▍第四版特色

      1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。



      2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。



      3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。



      4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。

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    序言

    譯者序一

    譯者序二

    導論

    第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體

    8.1 簡介

    8.2 JFET 和MESFET

    8.3 調變摻雜場效電晶體



    第四部分 負電阻以及功率元件

    第九章 穿隧元件

    9.1 簡介

    9.2 穿隧二極體

    9.3 相關穿隧元件

    9.4 共振穿隧二極體

    第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件

    10.1 簡介

    10.2 衝擊離子化累增渡時二極體

    10.3 電子轉移元件

    10.4 實空間轉移元件

    第十一章 閘流體和功率元件

    11.1 簡介

    11.2 閘流體基本特性

    11.3 閘流體的種類

    11.4 其他功率元件



    第五部分 光子元件和感應器

    第十二章 發光二極體和雷射

    12.1 簡介

    12.2 輻射躍遷

    12.3 發光二極體

    12.4 雷射物理

    12.5 雷射操作特性

    12.6 特殊雷射

    第十三章 光偵測器和太陽能電池

    13.1 簡介

    13.2 光導體

    13.3 光二極體

    13.4 累增光二極體

    13.5 光電晶體

    13.6 電荷耦合元件

    13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器

    13.8 量子井近紅外光光偵測器

    13.9 太陽能電池

    第十四章 感測器

    14.1 簡介

    14.2 熱感測器

    14.3 機械感測器

    14.4 磁感測器

    14.5 化學感測器

    14.6 生物感測器

    附錄

    A. 符號表

    B. 國際單位系統 ( SI Units )

    C. 國際單位字首

    D. 希臘字母

    E. 物理常數

    F. 重要半導體的特性

    G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量

    H. Si 與GaAs的特性

    I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型

    J. 氧化矽與氮化矽的特性

    K. 雙極性電晶體的緊密模型

    L. 浮動閘極記憶體效應的發現

    索引



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      自1947 年貝爾電話實驗室研究團隊(現在為諾基亞貝爾實驗室)發現電晶體效應以來,半導體元件領域快速成長。隨著此領域的發展,半導體元件的文獻逐漸增加並呈現多元化,要吸收這方面的大量資訊,需要一本完整介紹元件物理及操作原理的書籍。



      第一版、第二版與第三版的Physics of Semiconductor devices《半導體元件物理學》分別在1969 年、1991 年與2007 年發行以符合如此的需求。令人驚訝的是,本書長期以來一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生的主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。直到目前為止,本書仍為被引用最多次的書籍之一,在當代工程以及應用科學領域上,已被引用超過55,000 次 (Google Scholar)*。自從本書上一版在2007 年出版後,已有超過1,000,000 篇與半導體元件相關的論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版的Physics of Semiconductor devices 中,有超過50% 的材料資訊已經被校正或是被更新,並將這些材料資訊全部重新整理。我們保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等,亦在每章後增加大量問題集,幫助整合主題的發展,而某些問題可以在課堂上作為教學範例。



      在撰寫這本書的過程,我們有幸得到許多人幫助及支持。首先,我們對於自己所屬的學術單位國立陽明交通大學表示謝意,沒有學校的支持,本書將無法完成;也感謝台灣高等教育深耕計畫第2 部分—特色領域研究中心—毫米波智慧雷達系統與技術研究中心,以及交大思源基金會的經費資助。



      以下學者在百忙中花了不少時間校閱本書並提供建議, 使我們獲益良多, 績效屬於下列學者:M. Ancona, T.-C. Chang, C.-H. Chaing, Y.-S. Chauhan, K. Endo, M.-Y. Lee, Y.-J. Lee, P.-T. Liu, T. Matsuoka, M. Meyyappan, N. Mori, S. Samukawa, A. Schenk, N. M. Shrestha, P.-H. Su, T. Tanaka, V. Rajagopal Reddy, 以及 D. Vasileska。我們也感謝各期刊以及作者允許我們重製並引用他們的原始圖。



      我們很高興地感謝C.-H. Chen, C.-Y. Chen, S. R. Kola, Y.-C. Lee, C.-C. Liu, W.-L. Sung, N. Thoti 及Y.-C. Tsai 等協助製備這份原稿。我們更進一步地感謝 Min-Hui Chuang, Norman Erdos 及Ju-Min Hsu 協助整理原稿的技術編輯。在John Wiley 以及 Sons,感謝Sarah Keegan 鼓勵我們進行這個計畫。最後,對我們的妻子Therese Sze 以及Linda Ng 在寫作這本書過程的支持及幫助表示謝意。本書作者李義明教授將本書獻給他的母親黃?女士,黃女士於2019 年6 月過世。


    施敏

    台灣 新竹

    李義明

    台灣 新竹

    伍國?

    美國 北卡羅來納州 教堂山

    2020 年2 月

    *編按:本書於中文版翻譯完成時,引用次數已超過63,800 次。




    其 他 著 作
    1. 半導體元件物理學第四版(上冊)