第0章 半導體與積體電路之發展史

0-1 半導體之緣起 0-2

0-2 電晶體 0-2

0-3 積體電路 0-4

0-4 半導體製程 0-4



第1章 半導體物理與材料(一)

1-1 原子模型與週期表 1-2

1-2 晶體結構 1-4

1-3 物質種類 1-7

1-4 本矽，質量作用定律 1-9

1-5 摻雜質，負型和正型 1-10



第2章 半導體物理與材料(二)

2-1 能帶 2-2

2-2 電阻係數與薄片電阻 2-5

2-3 載子傳輸 2-9



第3章 積體電路(I)：半導體元件

3-1 二極體 3-2

3-2 雙載子電晶體 3-5

3-3 金氧半場效電晶體 3-9

3-4 互補金氧半場效電晶體 3-12

3-5 電阻 3-13

3-6 電容 3-15

3-7 電感 3-16



第4章 積體電路(II)：製程、電路與佈局

4-1 雙載子製程技術 4-2

4-2 MOS製程技術 4-5

4-3 電路與積體電路 4-6

4-4 IC設計原則 4-9

4-5 佈局原則 4-11



第5章 矽晶圓之製作(一)

5-1 原料配製 5-2

5-2 矽晶棒生長 5-3

5-3 晶片方向、切割和拋光 5-6



第6章 矽晶圓之製作(二)

6-1 晶體方向 6-2

6-2 晶體生長時摻雜質之分佈 6-4

6-3 晶體缺陷 6-6

6-4 十二吋晶圓效益分析 6-8



第7章 矽磊晶的成長(一)

7-1 磊晶膜 7-2

7-2 磊晶原理 7-5

7-3 磊晶膜之生長程序 7-10



第8章 矽磊晶的成長(二)

8-1 磊晶系統 8-2

8-2 磊晶膜之評估 8-5



第9章 氧化製程(一)

9-1 二氧化矽與氧化 9-2

9-2 熱氧化爐 9-3

9-3 氧化程序 9-4

9-4 氧化膜之評估 9-7

9-5 氧化膜品質改進方法 9-9



第10章 氧化製程(二)

10-1 氧化膜厚度之決定 10-2

10-2 氧化反應 10-5

10-3 薄氧化層 10-6

10-4 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 10-7



第11章 摻雜質之擴散植入(一)

11-1 擴散概念 11-2

11-2 擴散過程 11-3

11-3 擴散之分佈曲線 11-12



第12章 摻雜質之擴散植入(二)

12-1 離子植入 12-2

12-2 火退火 12-6

12-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用 12-8

12-4 離子佈植製程實務 12-13



第13章 微影蝕刻術(一)

13-1 微影蝕刻技術 13-2

13-2 光罩之製作 13-2

13-3 光微影術 13-5

13-4 微影術之光源 13-10



第14章 微影蝕刻術(二)

14-1 濕、乾蝕刻 14-2

14-2 濕蝕刻 14-2

14-3 乾蝕刻 14-3

14-4 乾蝕刻反應器 14-7



第15章 化學氣相沈積

15-1 化學氣相沈積概念 15-2

15-2 化學氣相沈積流程 15-5

15-3 低壓化學氣相沈積 15-10

15-4 電漿化學氣相沈積 15-10

15-5 光照射化學氣相沈積 15-11

15-6 液相沈積 15-12



第16章 金屬接觸與蒸著

16-1 金屬化之要求 16-2

16-2 真空蒸著 16-3

16-3 蒸著技術 16-8

16-4 真空蒸著程序 16-12

16-5 合金�火退火 16-14

16-6 銅製程技術 16-15



第17章 製程潔淨控制與安全(一)

17-1 潔淨程序與藥品 17-2

17-2 水 17-3

17-3 空氣�無塵室 17-5

17-4 人員 17-7

17-5 化學藥品 17-8

17-6 氣體 17-11



第18章 製程潔淨控制與安全(二)

18-1 高壓氣瓶 18-2

18-2 設備上應注意事項 18-5

18-3 廢氣之排放 18-6

18-4 緊急時應注意事項 18-9



第19章 半導體元件之縮小

19-1 金氧半電晶體之縮小化 19-2

19-2 短通道效應 19-4



第20章 積體電路封裝

20-1 積體電路封裝 20-2

20-2 封裝分類 20-3

20-3 封裝流程 20-4